IRLR024NTRPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRLR024n JSM
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: IRLR024NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4086 0,2677 0,1918 0,1679 0,1573
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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