IRLR024NTRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRLR024n JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRLR024NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,4650 0,2795 0,2135 0,1921 0,1855
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRLR024NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,4650 0,3359 0,2419 0,1992 0,1855
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Standard-Verpackung:
5
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 125°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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