IRLR3410
Symbol Micros:
TIRLR3410
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 155 mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 155mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLR3410 RoHS IRLR3410TRPBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
101 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5640 | 0,3564 | 0,2808 | 0,2525 | 0,2454 |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRPBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 600+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5640 | 0,3564 | 0,2808 | 0,2549 | 0,2454 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
3900 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2824 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
110000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2461 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
1382000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2454 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 155mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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