IRLR3410
Symbol Micros:
TIRLR3410
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 155 mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 155mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRLPBF
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2044 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
8850 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3843 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
180000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2171 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 155mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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Standard-Verpackung: 300
Menge (Vielfache 1)
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