IRLR3410TRPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRLR3410 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 55mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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