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IRLR3410TRPBF HXY MOSFET

Name: TIRLR3410 HXY TIRLR3410 HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRLR3410HXY
Price: 0.2458 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLR3410 HXY

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Datenblatt

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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	130mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5665	0,3558	0,2949	0,2622	0,2458

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	130mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,6741	0,4260	0,3371	0,3020	0,2926

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	600+
Nettopreis (EUR)	0,6741	0,4237	0,3347	0,3043	0,2926

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4986	0,2996	0,2289	0,2060	0,1990

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5220	0,3160	0,2434	0,2189	0,2083

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4869	0,2949	0,2264	0,2041	0,1943

IRLR3410TRPBF HXY MOSFET

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