MJE350G ONS

Symbol Micros: TMJE350g ONS

Gehäuse: TO225 (=TO126-3)

Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225

Parameter

Verlustleistung:	20W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	240
Gehäuse:	TO225 (=TO126-3)
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	300V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJE350G RoHS Gehäuse: TO225 (=TO126-3) Datenblatt

Auf Lager:

47 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,7506	0,4736	0,3717	0,3386	0,3268

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJE350G Gehäuse: TO225 (=TO126-3)

Externes Lager:

579 stk.

Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3268

Verlustleistung:	20W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	240
Gehäuse:	TO225 (=TO126-3)
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	300V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP

Anzahl Stück	2+	10+	60+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,5493	0,3481	0,2699	0,2463	0,2391

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5493	0,3339	0,2557	0,2311	0,2200