PTP80N06 TO-220 HT SEMI

Symbol Micros: TPTP80N06 HTSEMI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Kanal MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Entspricht: STP55NF06; IRFZ44ZPBF; IRF3205PBF; IRF 3205 PBF; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HT SEMI
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HT SEMI
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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