2N7000

Symbol Micros: T2N7000 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 6Ohm; 200mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7000-LGE;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1416 0,0562 0,0323 0,0267 0,0257
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Standard-Verpackung:
1000/2000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-07-15
Anzahl Stück: 2000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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