2N7002-7-F

Symbol Micros: T2N7002
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 210mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-13-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 210mA
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
42717 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1086 0,0499 0,0270 0,0203 0,0181
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Standard-Verpackung:
3000/15000/60000
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 210mA
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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