AOD417 UMW

Symbol Micros: TAOD417 UMW

Gehäuse: TO252 (DPAK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	55mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AOD417 RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

488 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3256	0,1805	0,1425	0,1293	0,1252

Widerstand im offenen Kanal:	55mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4599	0,2777	0,2117	0,1906	0,1840

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3119	0,1999	0,1407	0,1195	0,1136

Anzahl Stück	3+	10+	40+	161+	644+
Nettopreis (EUR)	0,3256	0,2124	0,1566	0,1341	0,1252

Anzahl Stück	3+	10+	40+	139+	556+
Nettopreis (EUR)	0,3256	0,2122	0,1562	0,1350	0,1252

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3529	0,2322	0,1671	0,1430	0,1361