AP2310GN-HF-3-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TAP2310gn-hf-3 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 125mOhm; 3A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: AP2310GN-HF-3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: AP2310GN-HF-3-CN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2297 0,1255 0,0823 0,0712 0,0656
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD