BC817-25LT1G ONS

Symbol Micros: TBC81725 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 45 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC817-25LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Nettopreis (EUR) 0,1025 0,0409 0,0205 0,0164 0,0158
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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