|
Verlustleistung:
|
300mW |
|
Hersteller:
|
SLKOR |
|
Gehäuse:
|
SOT23 |
|
Stromverstärkungsfaktor:
|
600 |
|
Grenzfrequenz:
|
100MHz |
|
Max. Kollektor-Strom [A]:
|
500mA |
|
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:
|
45V |
|
Betriebstemperatur (Bereich):
|
-55°C ~ 150°C |
|
Transistor-Typ:
|
NPN |
Ausführliche Beschreibung
BC817-40 SLKOR - Opis ogólny krzemowego tranzystora NPN
Tranzystor BC817-40 marki SLKOR to popularny, krzemowy element bipolarny typu NPN. Komponent ten jest dedykowany bezpośrednio do montażu powierzchniowego (SMD) na płytkach obwodów drukowanych i dostarczany w znormalizowanej, miniaturowej obudowie SOT-23. Według noty katalogowej producenta układ wyprowadzeń zdefiniowano w następujący sposób: wyprowadzenie pierwsze stanowi baza, wyprowadzenie drugie to emiter, natomiast wyprowadzenie trzecie to kolektor. Model ten posiada fizyczny odpowiednik komplementarny o polaryzacji PNP, który jest oznaczony symbolem BC807. Do najważniejszych cech sprzętowych prezentowanej struktury półprzewodnikowej należą bardzo wysoki dopuszczalny prąd kolektora, znaczne wzmocnienie prądowe w optymalnym paśmie pracy oraz niska wartość napięcia nasycenia pomiędzy kolektorem a emiterem.
BC817-40 SLKOR - Zastosowanie w układach elektronicznych
Omawiany element został zaprojektowany głównie pod kątem aplikacji ogólnego przeznaczenia oraz analogowych układów pracujących w paśmie częstotliwości akustycznych (AF - Audio Frequency). Ze względu na dopuszczalny prąd kolektora sięgający wartości 500mA, tranzystor ten znakomicie sprawdza się w elektronicznych obwodach wykonawczych i sekcjach sterujących, na przykład przy stabilnym załączaniu cewek przekaźników, zasilaniu niewielkich silników stałoprądowych czy bezpośrednim sterowaniu matrycami diodowymi LED o podwyższonym poborze mocy. Niskie parametry napięcia nasycenia determinują jego wysoką skuteczność energetyczną w trybie przełączania, minimalizując niepożądaną emisję ciepła podczas ciągłego przewodzenia prądu. W układach o charakterze typowo analogowym element ten jest powszechnie implementowany przy projektowaniu kaskad wzmacniających sygnały audio, liniowych przedwzmacniaczy mikrofonowych oraz prostych wtórników napięciowych. Komponent ten może również pełnić funkcję niezawodnego bufora w układach cyfrowych, służąc do bezpiecznej separacji wrażliwych bloków logicznych układów scalonych od elementów zewnętrznych charakteryzujących się znacznie wyższym zapotrzebowaniem na prąd.
BC817-40 SLKOR - Specyfikacja techniczna i wartości maksymalne
Poniższe zestawienie określa bezwzględne parametry graniczne opisywanego układu w referencyjnej temperaturze otoczenia wynoszącej 25°C. Przekroczenie tych wartości grozi trwałą degradacją lub całkowitym uszkodzeniem komponentu.
- Napięcie przebicia kolektor-baza (VCBO): 50V
- Napięcie przebicia kolektor-emiter (VCEO): 45V
- Napięcie przebicia emiter-baza (VEBO): 5V
- Maksymalny prąd ciągły kolektora (Ic): 500mA
- Maksymalna całkowita moc strat kolektora (Pc): 300mW
- Rezystancja termiczna pomiędzy złączem a otoczeniem (RthJA): 417°C/W
- Maksymalna dopuszczalna temperatura złącza (Tj): 150°C
- Dopuszczalny zakres temperatur przechowywania (Tstg): od -55°C do +150°C
BC817-40 SLKOR - Parametry elektryczne i charakterystyka pracy
Szczegółowe parametry elektryczne określają nominalne właściwości tranzystora w kontrolowanym środowisku testowym. Wariant z przyrostkiem -40 w nazwie gwarantuje najwyższy dostępny przedział wzmocnienia w tej rodzinie układów.
- Prąd odcięcia kolektor-baza (ICBO): maksymalnie 0.1μA (przy napięciu wstecznym VCB wynoszącym 45V)
- Prąd odcięcia emiter-baza (IEBO): maksymalnie 0.1μA (przy napięciu wstecznym VEB wynoszącym 4V)
- Znamionowe stałoprądowe wzmocnienie prądowe (hFE): od 250 do 600 (dla wariantu -40, pomiar przy napięciu VCE równym 1V oraz prądzie Ic równym 100mA)
- Wzmocnienie prądowe przy wysokich obciążeniach (hFE): minimum 40 (pomiar przy napięciu VCE równym 1V oraz prądzie Ic równym 500mA)
- Napięcie nasycenia kolektor-emiter (VCEsat): maksymalnie 0.7V (przy prądzie Ic wynoszącym 500mA oraz prądzie bazy Ib równym 50mA)
- Napięcie nasycenia baza-emiter (VBEsat): maksymalnie 1.2V (przy prądzie Ic wynoszącym 500mA oraz prądzie bazy Ib równym 50mA)
- Bazowe napięcie przewodzenia baza-emiter (VBE): maksymalnie 1.2V (przy prądzie Ic wynoszącym 500mA i napięciu VCE równym 1V)
- Pojemność wyjściowa kolektora (Cob): typowo 10pF (przy napięciu VCB wynoszącym 10V oraz częstotliwości testowej 1MHz)
- Częstotliwość przejścia (fT): minimum 100MHz (przy napięciu VCE wynoszącym 5V, prądzie Ic na poziomie 10mA oraz częstotliwości 100MHz)
Tekst wygenerowany przez AI.
