BCP5616TA

Symbol Micros: TBCP5616 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP5616TA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
900 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2806 0,1359 0,0932 0,0828 0,0800
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Standard-Verpackung:
1000/3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-31
Anzahl Stück: 5000
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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