BDX53CG ONS

Symbol Micros: TBDX53cg ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; Bipolar; 750; 100V; 5V; 8A; 65W; -65°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 65W
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: TO220
Stromverstärkungsfaktor: 750
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BDX53CG RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0193 0,7489 0,6010 0,5154 0,4854
Standard-Verpackung:
50
Verlustleistung: 65W
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: TO220
Stromverstärkungsfaktor: 750
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN