BSS138PW,115

Symbol Micros: TBSS138pw

Gehäuse: SOT323

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	320mA
Maximaler Leistungsverlust:	310mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138PW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2264	0,1149	0,0695	0,0551	0,0503

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138PW,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

1533000 stk.

Anzahl Stück	15000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0503

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138PW,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

3460000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0503

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	320mA
Maximaler Leistungsverlust:	310mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0956	0,0377	0,0220	0,0161	0,0147

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0956	0,0377	0,0220	0,0161	0,0147

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0745	0,0285	0,0162	0,0117	0,0107