BSS138PW,115

Symbol Micros: TBSS138pw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 310mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138PW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2263 0,1148 0,0695 0,0550 0,0503
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138PW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2263 0,1148 0,0695 0,0550 0,0503
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 310mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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