BSS138W-7-F Diodes

Symbol Micros: TBSS138w DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 200mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138W-7-F;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138W-7-F RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3230 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1684 0,0799 0,0451 0,0342 0,0306
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD