BSS84-7-F

Symbol Micros: TBSS84 DIODES
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3797 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1239 0,0570 0,0310 0,0231 0,0207
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84-13-F Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0207
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84-13-F Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0207
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84-7-F Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
4668000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0207
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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