BSS84PH6327XTSA2
Symbol Micros:
TBSS84p
75605
TBSS84p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12 Ohm; 170mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327 (halogenfrei); BSS84P-L6327 (Pb-frei); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12Ohm |
| Max. Drainstrom: | 170mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
34301 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1915 | 0,0909 | 0,0511 | 0,0388 | 0,0348 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS84P H6327 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1915 | 0,0909 | 0,0511 | 0,0388 | 0,0348 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS84PH6327XTSA2
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
145800 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0348 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS84PH6327XTSA2
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
167400 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0348 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12Ohm |
| Max. Drainstrom: | 170mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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Standard-Verpackung: 10000
Menge (Vielfache 1)
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