FDV303N SHIKUES
Symbol Micros:
TFDV303n SHK
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 80mOhm; 2A; Äquivalent: FDV303N Onsemi;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 80mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | SHIKUES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 80mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | SHIKUES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Montage: | SMD |
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