IRF3710PBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRF3710 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,8mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF-CN RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9164 0,5795 0,4570 0,4170 0,3981
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 8,8mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT