IRF5305PBF

Symbol Micros: TIRF5305
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5305PBF; IRF5305TRLPBF; IRF5305TRPBF; IRF5305LPBF; IRF5305;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF5305 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
256 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9765 0,7161 0,5743 0,4929 0,4650
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5305PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
29280 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4650
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5305PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
68384 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4650
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5305PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5520 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5372
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT