IRF5305PBF

Symbol Micros: TIRF5305
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5305PBF; IRF5305TRLPBF; IRF5305TRPBF; IRF5305LPBF; IRF5305;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF5305 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
1136 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9860 0,7231 0,5799 0,4977 0,4695
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/1000
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole