HIRF530NPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRF530n HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Gehäuse: TO220
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: HIRF530NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5830 0,3526 0,2703 0,2445 0,2327
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Gehäuse: TO220
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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