IRF530N
Symbol Micros:
TIRF530N VBS
Gehäuse: TO220
TO-220AB MOSFETs ROHS IRF530NPBF; IRF530N-VB; IRF530NPBF-VB;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 0,127Ohm |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 105W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 0,127Ohm |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 105W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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