IRF530PBF

Symbol Micros: TIRF530pbf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160 mOhm; 14A; 88W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF530 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
245 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8663 0,6348 0,5111 0,4377 0,4125
Standard-Verpackung:
50/500
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF530PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
47 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5111
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF530PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2375 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6191
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT