IRF530PBF

Name: TIRF530pbf TIRF530pbf
Brand: Vishay
SKU: TIRF530pbf
Price: 0.4207 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF530pbf

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160 mOhm; 14A; 88W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	88W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF530 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

245 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8835	0,6475	0,5212	0,4464	0,4207

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF530PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

850 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4207

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF530PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3925 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4207

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF530PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

47 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5154

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	88W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6615	0,4161	0,3272	0,2969	0,2875

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6615	0,4161	0,3272	0,2969	0,2875

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5867	0,3717	0,2922	0,2665	0,2548

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6077	0,3857	0,3039	0,2758	0,2641

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5797	0,3506	0,2688	0,2431	0,2314