IRF530PBF
Symbol Micros:
TIRF530pbf
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160 mOhm; 14A; 88W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 14A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 88W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF530 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
345 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8874 | 0,6503 | 0,5235 | 0,4484 | 0,4226 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 14A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 88W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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