IRF640NPBF

Symbol Micros: TIRF640n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640NPBF; IRF 640N; IRF 640 N PBF; IRF640N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

168 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7616	0,4819	0,3808	0,3479	0,3314

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2230 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3851

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

47400 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3314

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

164914 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3314

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-12-05

Anzahl Stück: 500

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6864	0,4302	0,3385	0,3197	0,2985