IRF640NPBF

Symbol Micros: TIRF640n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640NPBF; IRF 640N; IRF 640 N PBF; IRF640N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

845 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2408

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

130095 stk.

Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2559

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

38100 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2455

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-04-17

Anzahl Stück: 200

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-06-30

Anzahl Stück: 1000

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7021	0,4408	0,3452	0,3265	0,3055

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8537	0,5411	0,4268	0,3872	0,3709

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7137	0,4525	0,3569	0,3242	0,3102

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6811	0,4268	0,3359	0,3172	0,2962

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7300	0,4618	0,3639	0,3312	0,3172