IRF640NPBF
Symbol Micros:
TIRF640n
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640NPBF; IRF 640N; IRF 640 N PBF; IRF640N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
303 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,7601 | 0,4809 | 0,3800 | 0,3472 | 0,3308 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1370 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3843 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,3308 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
132466 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,3308 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-11-20
Anzahl Stück: 500
Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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