IRF640NPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF640n JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Max. Drainstrom: 18A
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF640N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6850 0,4336 0,3413 0,3114 0,2975
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Max. Drainstrom: 18A
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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