IRF7319TRPBF

Symbol Micros: TIRF7319
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5 A/4,9 A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7319TRBBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
1656 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7752 0,4907 0,3864 0,3532 0,3366
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7319TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7752 0,4907 0,3864 0,3532 0,3366
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7319TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
3600 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3366
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD