IRF740 HXY MOSFET

Name: TIRF740 HXY TIRF740 HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRF740HXY
Price: 0.3739 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF740 HXY

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	500mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	87W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	420V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRF740 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

130 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8606	0,5408	0,4233	0,3997	0,3739

Widerstand im offenen Kanal:	500mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	87W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	420V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1616	0,8865	0,7337	0,6443	0,6114

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7360	0,4656	0,3668	0,3339	0,3198

Anzahl Stück	2+	10+	50+	250+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8865	0,5620	0,4444	0,3997	0,3856