IRF830PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF830 JSM

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 2,6 Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830PBF-BE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,6Ohm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	33W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	550V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF830PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6441	0,4066	0,3220	0,2938	0,2797

Widerstand im offenen Kanal:	2,6Ohm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	33W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	550V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,9355	0,5923	0,4678	0,4184	0,4066