IRF830PBF JSMICRO
Symbol Micros:
TIRF830 JSM
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 2,6 Ohm; 4A; 33W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830PBF-BE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 33W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 33W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Ähnliche Produkte
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
IRF830 RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
163 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 300+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,9315 | 0,6155 | 0,5094 | 0,4740 | 0,4434 |
Standard-Verpackung: 50/300
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
IRF830 RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
83850 stk.
| Anzahl Stück | 350+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,4434 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
IRF830 RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
925 stk.
| Anzahl Stück | 25+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,4687 |
Standard-Verpackung: 25
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
IRF830 RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
191300 stk.
| Anzahl Stück | 1+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,4434 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
MOSLEADER
Hersteller-Teilenummer:
IRF830PBF-ML RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,7004 | 0,4434 | 0,3490 | 0,3184 | 0,3042 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole