IRFR3710ZTRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRFR3710z JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 19mOhm; 35A; 62W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRFR3710ZPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRRPBF; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 62W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRFR3710ZTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9414 0,6268 0,5188 0,4672 0,4484
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 62W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD

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