IRFR9024N HXY MOSFET
Symbol Micros:
TIRFR9024n HXY
Gehäuse: TO252 (DPAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 31,3W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 31,3W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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