IRL540N UMW

Symbol Micros: TIRL540 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRL540PBF; IRL540NPBF; SP001576440;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRL540N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8052 0,5094 0,4014 0,3662 0,3498
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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