MJE350G ONS

Symbol Micros: TMJE350g ONS

Gehäuse: TO225 (=TO126-3)

Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225

Parameter

Verlustleistung:	20W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	240
Gehäuse:	TO225 (=TO126-3)
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	300V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJE350G RoHS Gehäuse: TO225 (=TO126-3) Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6572	0,4137	0,3262	0,2955	0,2861

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJE350G Gehäuse: TO225 (=TO126-3)

Externes Lager:

16268 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3573

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJE350G Gehäuse: TO225 (=TO126-3)

Externes Lager:

2591 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3063

Verlustleistung:	20W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	240
Gehäuse:	TO225 (=TO126-3)
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	300V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP

Anzahl Stück	2+	10+	60+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,5485	0,3475	0,2695	0,2459	0,2388

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5887	0,3546	0,2719	0,2435	0,2357

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4208	0,2766	0,1979	0,1731	0,1622