MMBT4401LT1G

Symbol Micros: TMMBT4401lt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 600mA 40V 300mW 250MHz 100<hFE<300 NPN 600mA 40V 300mW 250MHz 100<hFE<300
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN