MMBT4401LT1G

Symbol Micros: TMMBT4401lt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 600mA 40V 300mW 250MHz 100<hFE<300 NPN 600mA 40V 300mW 250MHz 100<hFE<300
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT4401LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0779 0,0301 0,0147 0,0117 0,0111
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MMBT4401-7-F Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
192000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0115
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT4401LT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
250000 stk.
Anzahl Stück 50000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0111
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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