SI2304BDS

Symbol Micros: TSI2304bds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 105 mOhm; 2,6A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304BDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 150+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,5177 0,3111 0,2446 0,2183 0,2066
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Standard-Verpackung:
150
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304BDS-T1-E3 Pbf L4Y0A Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5154 0,2874 0,2256 0,2126 0,2059
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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