STP55NF06-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TSTP55NF06 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 19mOhm; 50A; 50W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP55NF06 STMicroelectronics;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: STP55NF06-CN RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5886 0,3560 0,2730 0,2468 0,2350
Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT