TSM2N60SCW RPG

Symbol Micros: TTSM2n60scw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 5Ohm; 600mA; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2N60SCW RPG RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5576 0,3341 0,2800 0,2400 0,2228
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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