Transistoren (Ergebnisse: 10375)
| Produkt | Warenkorb |
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
Gate-Ladung
|
Verlustleistung
|
Maximale Verlustleistung
|
Stromverstärkungsfaktor
|
Grenzfrequenz
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Max. Kollektor-Strom [A]
|
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
|
Max. Kollektor-Strom
|
Max. Kollektor-Strom im Impuls
|
Vorwärtsspannung [Vgeth]
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Transistor-Typ
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Montage
|
Kollektor-Emitter-Spannung
|
Gate - Emitter Spannung
|
Transistorsysteme [J/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQ2361AEES-T1_GE3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 170 mOhm; 2,8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
5 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
170mOhm | 2,8A | 2W | SOT23-3 | VISHAY | 60V | 10V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
SQ2362ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQ2364EES-T1_GE3
MOSFET-Transistor, N-Channel, 2 A, 60 V, 0,19 Ohm, 4,5 V, 600 mV VISHAY
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQ2364EES-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQ2364EES-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
60000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQ2389ES-T1_GE3
P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 188 mOhm; 4.1A; 3W; -55 °C ~ 175 °C; SQ2389ES-T1_GE3
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
4 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
188mOhm | 4,1A | 3W | SOT23-3 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMMUN2112LT1G
Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMMUN2132LT1G
Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NSVMMUN2132LT1G Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
15000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQ3419AEEV-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMMUN2212LT1G
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQ3427AEEV-T1 GE3
P-MOSFET 60V 95mOhm
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMMUN2217LT1G
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQ3427EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6TSOP SQ3427EV-T1_GE3; SQ3427EV-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMMUN2230LT1G
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQ3457EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQ3457EV-T1_BE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMMUN2235LT1G
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMMUN2236LT1G
Transistor NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network Transistor NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NSVMMUN2236LT1G Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
30000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMSD42WT1G
Transistor GP BJT NPN 300V 0.15A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 Transistor GP BJT NPN 300V 0.15A 450mW Automotive 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQ4182EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQ4182EY-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2500 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQ4425EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQ4425EY-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2500 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMUN5212DW1T1G
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMUN5234T1G onsemi
NPN Bipolar DIGITAL TRANSISTOR ( NPN Bipolar DIGITAL TRANSISTOR (
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NSVMUN5234T1G Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
36000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQA413CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S) Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQA413CEJW-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMUN5312DW1T3G
Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NSVMUN5312DW1T2G Präzisionsgehäuse: SOT363 |
Externes Lager:
12000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMUN531335DW1T1G
Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVMUN5314DW1T3G
Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQD19P06-60L_GE3
MOSFET-Transistor, P-Channel, 20 A, 60 V, 0,046 Ohm, 10 V, 2,5 V VISHAY SQD19P06-60L-E3; SQD19P06-60L_GE3; SQD19P06-60L-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SQD19P06-60L-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse: DPAK t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
55mOhm | 20A | 46W | TO252 (DPACK) | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQD19P06-60L_GE3 Präzisionsgehäuse: DPAK |
Externes Lager:
10000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
55mOhm | 20A | 46W | TO252 (DPACK) | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
NSVPZTA92T3G onsemi
SS SOT223 HV XTR PNP 300V SS SOT223 HV XTR PNP 300V
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVT1418LT1G
PNP TRANSISTOR 160V PNP TRANSISTOR 160V
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NSVT1418LT1G Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SQD40081EL_GE3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 13,1 mOhm; 50A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; SQD40081ELGE-VIS-0;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 13,1mOhm | 50A | 71W | TO252 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
NSVT45010MW6T3G
Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SOT-363 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SOT-363
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NSVT45010MW6T1G Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||