RC30N06 TO-252 RealChip

Symbol Micros: TRC30N06 REA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR024NTRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-11-30
Anzahl Stück: 2500
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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