RC30N06 TO-252 RealChip

Symbol Micros: TRC30N06 REA

Gehäuse: TO252

Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR024NTRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	RealChip
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC30N06 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2429	0,1335	0,0884	0,0736	0,0692

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	RealChip
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4650	0,2799	0,2161	0,1950	0,1855

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4650	0,2799	0,2161	0,1950	0,1855

Anzahl Stück	2+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,4580	0,3308	0,2383	0,1962	0,1825

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	391+
Nettopreis (EUR)	0,4580	0,2730	0,2230	0,1962	0,1828

Anzahl Stück	2+	10+	30+	109+	436+
Nettopreis (EUR)	0,4580	0,2730	0,2230	0,1950	0,1821

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3308	0,1823	0,1432	0,1328	0,1272