2N7000

Symbol Micros: T2N7000

Gehäuse: TO92

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000BU (Masse); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000BU RoHS Gehäuse: TO92bul

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2928	0,1606	0,1053	0,0909	0,0838

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1559	0,0623	0,0364	0,0302	0,0283

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	4000+
Nettopreis (EUR)	0,1780	0,0711	0,0413	0,0342	0,0324

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1495	0,0597	0,0347	0,0290	0,0272