2N7000

Symbol Micros: T2N7000

Gehäuse: TO92

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000BU (Masse); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000BU RoHS Gehäuse: TO92bul

Auf Lager:

550 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2505	0,1330	0,1030	0,0950	0,0911

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000TA Gehäuse: TO92

Externes Lager:

7000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,0911

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000TA Gehäuse: TO92

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,0911

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000-D26Z Gehäuse: TO92

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,0911

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT