2N7000

Symbol Micros: T2N7000

Gehäuse: TO92

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000BU (Masse); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000BU RoHS Gehäuse: TO92bul

Auf Lager:

250 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2931	0,1420	0,0971	0,0860	0,0839

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000-D26Z Gehäuse: TO92

Externes Lager:

110000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0839

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000TA Gehäuse: TO92

Externes Lager:

32970 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0839

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000TA Gehäuse: TO92

Externes Lager:

40000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0839

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1704	0,0681	0,0397	0,0331	0,0310