2N7002-TP

Symbol Micros: T2N7002-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: 2N7002-TP RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1862 0,0885 0,0497 0,0378 0,0338
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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