2N7002 UMW

Symbol Micros: T2N7002 UMW
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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