AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2310gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 120 mOhm; 3A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2310GN-HF-3TR;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2310GN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,4187 0,2323 0,1834 0,1666 0,1612
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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