AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2310gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 120 mOhm; 3A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2310GN-HF-3TR;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2310GN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
145 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3197 0,1695 0,1314 0,1213 0,1161
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2310GN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3197 0,1695 0,1314 0,1213 0,1161
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/9000
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole