AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2310gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 120 mOhm; 3A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2310GN-HF-3TR;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2310GN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,4222 0,2342 0,1849 0,1680 0,1625
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-24
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole