AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2310gn-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 120mOhm; 3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3TR;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1,38W
Obudowa: SOT23
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP2310GN-HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
900 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0600 1,2500 0,9590 0,8650 0,8230
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-07-10
Ilość szt.: 3000
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1,38W
Obudowa: SOT23
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta