BC807-25 HXY MOSFET
Symbol Micros:
TBC80725 HXY
Gehäuse: SOT23
PNP-Transistor; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC807-25,215; BC807-25,235; BC807-25LT1G; BC807-25LT3G; BC807-25E6327; BC807-25E6433; BC807-25 RFG; BC807-25-7-F; BC807-25-TP;
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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