BC817-25 JSMICRO

Symbol Micros: TBC81725 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN-Transistor; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN