BSS84 GALAXY
Symbol Micros:
TBSS84 GAL
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 12V; 10 Ohm; 130mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 130mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | GALAXY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 130mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | GALAXY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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