BSS84-TD TDSEMIC

Symbol Micros: TBSS84 TDS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TDSEMIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: TDSEMIC Hersteller-Teilenummer: BSS84-TD RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0594 0,0222 0,0119 0,0089 0,0082
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TDSEMIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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