IRF3710

Symbol Micros: TIRF3710

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	57A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

1379 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1127	0,8165	0,6555	0,5622	0,5295

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1127	0,8165	0,6555	0,5622	0,5295

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

236 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,2935

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2180 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6192

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	57A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9075	0,5739	0,4526	0,4129	0,3942

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9075	0,5739	0,4526	0,4129	0,3942

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7465	0,4736	0,3732	0,3406	0,3243