IRF3710

Name: TIRF3710 TIRF3710
Brand: Infineon
SKU: TIRF3710
Price: 0.6633 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3710

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	57A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

129 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9684	0,7112	0,5699	0,4888	0,4610

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9684	0,7112	0,5699	0,4888	0,4610

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

229 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,2889

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2060 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6633

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	57A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7413	0,4703	0,3707	0,3382	0,3220

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9012	0,5653	0,4425	0,4170	0,3915

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7413	0,4703	0,3707	0,3382	0,3220